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Référence fabricant | ES1DLHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1DLHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES1DLHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DLHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1DLHM2G-FT |
SS25L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel