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Référence fabricant | RSFDL RHG |
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Numéro de pièce future | FT-RSFDL RHG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RSFDL RHG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 500mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSFDL RHG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RSFDL RHG-FT |
RS1DL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DL MHG
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RS1DL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DL MTG
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RS1DL RHG
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RS1DLHM2G
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RS1DLHMHG
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RS1DLHMQG
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RS1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DLHRFG
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M2GL090-1FCSG325
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APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
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XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
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LFE3-95EA-7LFN484C
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