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Référence fabricant | RS1DLHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-RS1DLHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
RS1DLHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 800mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1DLHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1DLHM2G-FT |
HS1AL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
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