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Référence fabricant | RS1DLHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-RS1DLHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
RS1DLHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 800mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1DLHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1DLHM2G-FT |
HS1AL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel