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Référence fabricant | HS1AL M2G |
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Numéro de pièce future | FT-HS1AL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1AL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1AL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1AL M2G-FT |
ES1ALHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel