maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES1BL M2G
Référence fabricant | ES1BL M2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1BL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1BL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1BL M2G-FT |
RSFJL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFKL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFKLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFKLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFML RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFML RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFMLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFMLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1AL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel