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Référence fabricant | ES1BL M2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1BL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1BL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1BL M2G-FT |
RSFJL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFKL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFKLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFKLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFML RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFML RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFMLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFMLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1AL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel