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Référence fabricant | RS1DL M2G |
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Numéro de pièce future | FT-RS1DL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS1DL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 800mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1DL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1DL M2G-FT |
ES1JLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1JLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1JLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1JLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1JLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel