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Rohm Semiconductor RS1P600BETB1

Numéro de pièce MFG
RS1P600BETB1
quantité disponible
22210 Pièces
Prix de référence
USD 0.980672
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RS1P600BETB1.pdf
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RS1P600BETB1 Caractéristiques

Référence fabricant RS1P600BETB1
Numéro de pièce future FT-RS1P600BETB1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RS1P600BETB1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 17.5A (Ta), 60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 35W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-HSOP
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RS1P600BETB1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RS1P600BETB1-FT

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