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Référence fabricant | RS1P600BETB1 |
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Numéro de pièce future | FT-RS1P600BETB1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS1P600BETB1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17.5A (Ta), 60A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta), 35W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-HSOP |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1P600BETB1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1P600BETB1-FT |
RHK003N06T146
Rohm Semiconductor
RF4E100AJTCR
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EP20K100ETC144-1N
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10AX027E4F29I3SG
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A40MX04-PL84I
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LFE3-95EA-6LFN672C
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