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Rohm Semiconductor RF4E080BNTR

Name: RF4E080BNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E080BNTR
Price: 0.188736 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (214 reviews)

Numéro de pièce MFG: RF4E080BNTR

quantité disponible: 19630 Pièces

Prix de référence: USD 0.188736

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RF4E080BNTR.pdf

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RF4E080BNTR Caractéristiques

Référence fabricant	RF4E080BNTR
Numéro de pièce future	FT-RF4E080BNTR
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RF4E080BNTR Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.6 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	HUML2020L8
Paquet / caisse	8-PowerUDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RF4E080BNTR Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RF4E080BNTR-FT

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