maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RF4E100AJTCR
Référence fabricant | RF4E100AJTCR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RF4E100AJTCR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RF4E100AJTCR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1460pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | HUML2020L8 |
Paquet / caisse | 8-PowerUDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF4E100AJTCR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RF4E100AJTCR-FT |
R6020ENJTL
Rohm Semiconductor
R6020KNJTL
Rohm Semiconductor
R6020PNJFRATL
Rohm Semiconductor
R6024ENJTL
Rohm Semiconductor
R6024KNJTL
Rohm Semiconductor
R8002ANJFRGTL
Rohm Semiconductor
R8005ANJFRGTL
Rohm Semiconductor
R8008ANJFRGTL
Rohm Semiconductor
RCJ081N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ100N25TL
Rohm Semiconductor
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel