maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN2303(TE85L,F)
Référence fabricant | RN2303(TE85L,F) |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN2303(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN2303(TE85L,F) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | USM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2303(TE85L,F) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN2303(TE85L,F)-FT |
RN1130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1101MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1131MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
EP3SE260H780C4LN
Intel
10M50DAF672C6G
Intel
XC5VLX110-1FF1760I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FF484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
LFX125EB-03FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel