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Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV(TL3,T)

Name: RN1106MFV(TL3,T)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1106MFV(TL3,T)
Availability: InStock
Rating: 5.0 (805 reviews)

Numéro de pièce MFG: RN1106MFV(TL3,T)

quantité disponible: 96040 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RN1106MFV(TL3,T).pdf

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RN1106MFV(TL3,T) Caractéristiques

Référence fabricant	RN1106MFV(TL3,T)
Numéro de pièce future	FT-RN1106MFV(TL3,T)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RN1106MFV(TL3,T) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de transistor	NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	50V
Résistance - Base (R1)	4.7 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Courant - Coupure Collecteur (Max)	500nA
Fréquence - Transition	-
Puissance - Max	150mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SOT-723
Package d'appareils du fournisseur	VESM
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1106MFV(TL3,T) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RN1106MFV(TL3,T)-FT

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