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Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV,L3F

Name: RN1130MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1130MFV,L3F
Price: 0.0252 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (655 reviews)

Numéro de pièce MFG: RN1130MFV,L3F

quantité disponible: 10320 Pièces

Prix de référence: USD 0.0252

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RN1130MFV,L3F.pdf

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RN1130MFV,L3F Caractéristiques

Référence fabricant	RN1130MFV,L3F
Numéro de pièce future	FT-RN1130MFV,L3F
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RN1130MFV,L3F Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de transistor	NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	50V
Résistance - Base (R1)	100 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2)	100 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Courant - Coupure Collecteur (Max)	500nA
Fréquence - Transition	250MHz
Puissance - Max	150mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SOT-723
Package d'appareils du fournisseur	VESM
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1130MFV,L3F Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RN1130MFV,L3F-FT

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