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Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV,L3F

Numéro de pièce MFG
RN1130MFV,L3F
quantité disponible
10320 Pièces
Prix de référence
USD 0.0252
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RN1130MFV,L3F.pdf
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RN1130MFV,L3F Caractéristiques

Référence fabricant RN1130MFV,L3F
Numéro de pièce future FT-RN1130MFV,L3F
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RN1130MFV,L3F Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 50V
Résistance - Base (R1) 100 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 100 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SOT-723
Package d'appareils du fournisseur VESM
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1130MFV,L3F Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RN1130MFV,L3F-FT

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