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Référence fabricant | RM24C256DS-LSNI-B |
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Numéro de pièce future | FT-RM24C256DS-LSNI-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Mavriq™ |
RM24C256DS-LSNI-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | CBRAM® |
La technologie | CBRAM |
Taille mémoire | 256kb (64B Page Size) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100µs, 2.5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM24C256DS-LSNI-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RM24C256DS-LSNI-B-FT |
RM25C32DS-LSNI-T
Adesto Technologies
RM25C64DS-LSNI-B
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XC4006E-3TQ144C
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XC6SLX150T-N3FGG900C
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10M08DCF484I7G
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EP3CLS150F484C8
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EP4CE115F23C7
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XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
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EP4SGX360HF35I3N
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