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Référence fabricant | RLB1014-151KL |
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Numéro de pièce future | FT-RLB1014-151KL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RLB |
RLB1014-151KL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 150µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 680mA |
Courant - Saturation | 1.8A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1.05 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 796kHz |
Fréquence - Auto-résonance | 2.8MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 796kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.343" Dia (8.70mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.512" (13.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB1014-151KL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RLB1014-151KL-FT |
SDE6603-1R5M
Bourns Inc.
SDE6603-220M
Bourns Inc.
SDE6603-221M
Bourns Inc.
SDE6603-2R2M
Bourns Inc.
SDE6603-330M
Bourns Inc.
SDE6603-331M
Bourns Inc.
SDE6603-470M
Bourns Inc.
SDE6603-471M
Bourns Inc.
SDE6603-4R7M
Bourns Inc.
SDE6603-680M
Bourns Inc.
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel