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Référence fabricant | SDE6603-4R7M |
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Numéro de pièce future | FT-SDE6603-4R7M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDE6603 |
SDE6603-4R7M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.5A |
Courant - Saturation | 1.5A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 90 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 50MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.115" (2.92mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE6603-4R7M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDE6603-4R7M-FT |
SDR0906-102KL
Bourns Inc.
SDR0906-121KL
Bourns Inc.
SDR0906-122KL
Bourns Inc.
SDR0906-150ML
Bourns Inc.
SDR0906-151KL
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SDR0906-180ML
Bourns Inc.
SDR0906-221KL
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SDR0906-2R2ML
Bourns Inc.
SDR0906-2R7ML
Bourns Inc.
SDR0906-330KL
Bourns Inc.
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation