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Référence fabricant | SDE6603-2R2M |
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Numéro de pièce future | FT-SDE6603-2R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SDE6603 |
SDE6603-2R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.4A |
Courant - Saturation | 2.3A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 90MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.115" (2.92mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE6603-2R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SDE6603-2R2M-FT |
SDR0906-331KL
Bourns Inc.
SDR0906-471KL
Bourns Inc.
SDR0906-100ML
Bourns Inc.
SDR0906-103KL
Bourns Inc.
SDR0906-101KL
Bourns Inc.
SDR0906-102KL
Bourns Inc.
SDR0906-121KL
Bourns Inc.
SDR0906-122KL
Bourns Inc.
SDR0906-150ML
Bourns Inc.
SDR0906-151KL
Bourns Inc.
XC4VFX100-10FF1517C
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP4CE10F17I8LN
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel