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Référence fabricant | RLB0912-6R8ML |
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Numéro de pièce future | FT-RLB0912-6R8ML |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RLB |
RLB0912-6R8ML Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 3.7A |
Courant - Saturation | 4.3A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 33MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.343" Dia (8.70mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.433" (11.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB0912-6R8ML Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RLB0912-6R8ML-FT |
RLB9012-330KL
Bourns Inc.
RLB9012-122KL
Bourns Inc.
RLB9012-150KL
Bourns Inc.
RLB9012-153KL
Bourns Inc.
RLB9012-333KL
Bourns Inc.
RLB9012-820KL
Bourns Inc.
RLB9012-822KL
Bourns Inc.
RLB1314-102KL
Bourns Inc.
RLB1314-103KL
Bourns Inc.
RLB1314-3R3ML
Bourns Inc.
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel