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Référence fabricant | RLB1314-3R3ML |
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Numéro de pièce future | FT-RLB1314-3R3ML |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | RLB |
RLB1314-3R3ML Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 5.6A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 8 mOhm Max |
Q @ Freq | 90 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 59MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.461" Dia (11.70mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.512" (13.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB1314-3R3ML Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RLB1314-3R3ML-FT |
SDR0703-3R9ML
Bourns Inc.
SDR0703-470KL
Bourns Inc.
SDR0703-6R8ML
Bourns Inc.
SDR0703-2R7ML
Bourns Inc.
SDR0703-100ML
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SDR0703-102KHL
Bourns Inc.
SDR0703-121KL
Bourns Inc.
SDR0703-151ML
Bourns Inc.
SDR0703-180KL
Bourns Inc.
SDR0703-181KL
Bourns Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
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M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel