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Renesas Electronics America RJK2555DPA-00#J0

Name: RJK2555DPA-00#J0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK2555DPA-00#J0
Availability: InStock
Rating: 4.6 (325 reviews)

Numéro de pièce MFG: RJK2555DPA-00#J0

quantité disponible: 71620 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET N-CH 250V 17A TO3P

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RJK2555DPA-00#J0.pdf

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RJK2555DPA-00#J0 Caractéristiques

Référence fabricant	RJK2555DPA-00#J0
Numéro de pièce future	FT-RJK2555DPA-00#J0
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RJK2555DPA-00#J0 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	17A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	104 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-WPAK
Paquet / caisse	8-PowerWDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK2555DPA-00#J0 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RJK2555DPA-00#J0-FT

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