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Renesas Electronics America HAT2168H-EL-E

Name: HAT2168H-EL-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: HAT2168H-EL-E
Price: 0.5712 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (269 reviews)

Numéro de pièce MFG: HAT2168H-EL-E

quantité disponible: 22390 Pièces

Prix de référence: USD 0.5712

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HAT2168H-EL-E.pdf

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HAT2168H-EL-E Caractéristiques

Référence fabricant	HAT2168H-EL-E
Numéro de pièce future	FT-HAT2168H-EL-E
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
HAT2168H-EL-E Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	30A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1730pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	15W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	LFPAK
Paquet / caisse	SC-100, SOT-669
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HAT2168H-EL-E Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HAT2168H-EL-E-FT

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