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Renesas Electronics America RJK1002DPN-E0#T2

Name: RJK1002DPN-E0#T2
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK1002DPN-E0#T2
Availability: InStock
Rating: 5.0 (69 reviews)

Numéro de pièce MFG: RJK1002DPN-E0#T2

quantité disponible: 70980 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET N-CH 100V 70A TO220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RJK1002DPN-E0#T2.pdf

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RJK1002DPN-E0#T2 Caractéristiques

Référence fabricant	RJK1002DPN-E0#T2
Numéro de pièce future	FT-RJK1002DPN-E0#T2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RJK1002DPN-E0#T2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	70A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.6 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6450pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK1002DPN-E0#T2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RJK1002DPN-E0#T2-FT

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