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ON Semiconductor RFD16N06LESM9A

Name: RFD16N06LESM9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: RFD16N06LESM9A
Price: 0.531456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (441 reviews)

Numéro de pièce MFG: RFD16N06LESM9A

quantité disponible: 92640 Pièces

Prix de référence: USD 0.531456

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 60V 16A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RFD16N06LESM9A.pdf

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RFD16N06LESM9A Caractéristiques

Référence fabricant	RFD16N06LESM9A
Numéro de pièce future	FT-RFD16N06LESM9A
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RFD16N06LESM9A Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47 mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Vgs (Max)	+10V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	90W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252AA
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RFD16N06LESM9A Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RFD16N06LESM9A-FT

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