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ON Semiconductor IRFN214BTA_FP001

Name: IRFN214BTA_FP001
Brand: ON Semiconductor
SKU: IRFN214BTA_FP001
Availability: InStock
Rating: 4.8 (149 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFN214BTA_FP001

quantité disponible: 12020 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFN214BTA_FP001.pdf

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IRFN214BTA_FP001 Caractéristiques

Référence fabricant	IRFN214BTA_FP001
Numéro de pièce future	FT-IRFN214BTA_FP001
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
IRFN214BTA_FP001 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	600mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	275pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-92-3
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFN214BTA_FP001 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFN214BTA_FP001-FT

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