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Infineon Technologies BTS282ZE3180AATMA2

Name: BTS282ZE3180AATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: BTS282ZE3180AATMA2
Price: 2.38084 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (103 reviews)

Numéro de pièce MFG: BTS282ZE3180AATMA2

quantité disponible: 66090 Pièces

Prix de référence: USD 2.38084

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: TEMPFET® MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BTS282ZE3180AATMA2.pdf

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BTS282ZE3180AATMA2 Caractéristiques

Référence fabricant	BTS282ZE3180AATMA2
Numéro de pièce future	FT-BTS282ZE3180AATMA2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TEMPFET®
BTS282ZE3180AATMA2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	49V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 240µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	232nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4800pF @ 25V
Caractéristique FET	Temperature Sensing Diode
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO263-7-1
Paquet / caisse	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BTS282ZE3180AATMA2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BTS282ZE3180AATMA2-FT

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