maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / R6020FNX
Référence fabricant | R6020FNX |
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Numéro de pièce future | FT-R6020FNX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R6020FNX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220FM |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6020FNX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R6020FNX-FT |
TK100S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK15S04N1L,LQ
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TK20S04K3L(T6L1,NQ
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TK20S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK2P60D(TE16L1,NQ)
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TK30S06K3L(T6L1,NQ
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TK35S04K3L(T6L1,NQ
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TK40P03M1(T6RSS-Q)
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TK40P04M1(T6RSS-Q)
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
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EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
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EP1S40F780C5
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EPF6024AQC240-3
Intel