maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / QRD1210T30
Référence fabricant | QRD1210T30 |
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Numéro de pièce future | FT-QRD1210T30 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QRD1210T30 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 53A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.5V @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRD1210T30 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QRD1210T30-FT |
MSAD200-12
Microsemi Corporation
MSAD200-18
Microsemi Corporation
MSAD36-08
Microsemi Corporation
MSAD36-12
Microsemi Corporation
MSAD36-16
Microsemi Corporation
MSAD36-18
Microsemi Corporation
MSAD60-08
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MSAD60-12
Microsemi Corporation
MSAD60-16
Microsemi Corporation
MSAD60-18
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
Xilinx Inc.
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel