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Référence fabricant | MSAD60-16 |
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Numéro de pièce future | FT-MSAD60-16 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSAD60-16 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 200A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5mA @ 1600V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D1 |
Package d'appareils du fournisseur | D1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD60-16 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSAD60-16-FT |
MBRF1045CT-JT
Diodes Incorporated
MBRF10H150CT1E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF15H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF15H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF15H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF15H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF20100CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF20100CTH
ON Semiconductor
MBRF20150CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF20200CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
LFECP6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
AT6002-2AC
Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel