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Référence fabricant | MSAD60-12 |
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Numéro de pièce future | FT-MSAD60-12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSAD60-12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 200A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D1 |
Package d'appareils du fournisseur | D1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD60-12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSAD60-12-FT |
MBRF1040CT-JT
Diodes Incorporated
MBRF1045CT-JT
Diodes Incorporated
MBRF10H150CT1E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF15H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF15H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF15H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF15H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF20100CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF20100CTH
ON Semiconductor
MBRF20150CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
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LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
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EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
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5SGXEA4K3F40C2LN
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5SGXMA3E3H29I3LN
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EP4CGX30BF14C8
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10M02DCV36I7G
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