maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / QRD0630R30
Référence fabricant | QRD0630R30 |
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Numéro de pièce future | FT-QRD0630R30 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QRD0630R30 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 210A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.5V @ 210A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 120ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRD0630R30 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QRD0630R30-FT |
MSAD120-12
Microsemi Corporation
MSAD120-18
Microsemi Corporation
MSAD165-08
Microsemi Corporation
MSAD165-12
Microsemi Corporation
MSAD165-18
Microsemi Corporation
MSAD200-08
Microsemi Corporation
MSAD200-12
Microsemi Corporation
MSAD200-18
Microsemi Corporation
MSAD36-08
Microsemi Corporation
MSAD36-12
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel