maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSAD165-18
Référence fabricant | MSAD165-18 |
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Numéro de pièce future | FT-MSAD165-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSAD165-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 165A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 9mA @ 1800V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D2 |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD165-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSAD165-18-FT |
MBRB30H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB41H100CT-1H
ON Semiconductor
MBRD640CTT4H
ON Semiconductor
MBRD660CTT4H
ON Semiconductor
MBRF10100CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10150CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10200CT-LJ
Diodes Incorporated
MBRF10200CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1040CT-JT
Diodes Incorporated
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel