maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSAD200-08
Référence fabricant | MSAD200-08 |
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Numéro de pièce future | FT-MSAD200-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSAD200-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 9mA @ 800V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D2 |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD200-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSAD200-08-FT |
MBRB30H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB41H100CT-1H
ON Semiconductor
MBRD640CTT4H
ON Semiconductor
MBRD660CTT4H
ON Semiconductor
MBRF10100CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10150CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF10200CT-LJ
Diodes Incorporated
MBRF10200CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF1040CT-JT
Diodes Incorporated
MBRF1045CT-JT
Diodes Incorporated
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel