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QJD1210011 Image

Powerex Inc. QJD1210011

Numéro de pièce MFG
QJD1210011
quantité disponible
67510 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Powerex Inc.
Brève description
- MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
QJD1210011.pdf
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QJD1210011 Caractéristiques

Référence fabricant QJD1210011
Numéro de pièce future FT-QJD1210011
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
QJD1210011 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 800V
Puissance - Max 900W
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur Module
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
QJD1210011 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange QJD1210011-FT

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