maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FMM65-015P
Référence fabricant | FMM65-015P |
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Numéro de pièce future | FT-FMM65-015P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FMM65-015P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 65A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | i4-Pac™-5 |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS i4-PAC™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMM65-015P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FMM65-015P-FT |
APTM20DHM20TG
Microsemi Corporation
APTM20DUM05TG
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A40MX02-1PQG100M
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LFE2-6E-6F256I
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