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APTM50AM19STG Image

Microsemi Corporation APTM50AM19STG

Numéro de pièce MFG
APTM50AM19STG
quantité disponible
38180 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTM50AM19STG.pdf
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APTM50AM19STG Caractéristiques

Référence fabricant APTM50AM19STG
Numéro de pièce future FT-APTM50AM19STG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTM50AM19STG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 170A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 492nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 22400pF @ 25V
Puissance - Max 1250W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP4
Package d'appareils du fournisseur SP4
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM50AM19STG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTM50AM19STG-FT

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