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Infineon Technologies FF8MR12W2M1B11BOMA1

Name: FF8MR12W2M1B11BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: FF8MR12W2M1B11BOMA1
Price: 196.344 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (727 reviews)

Numéro de pièce MFG: FF8MR12W2M1B11BOMA1

quantité disponible: 56850 Pièces

Prix de référence: USD 196.344

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolSiC™ MOSFET MODULE 1200V 150A

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FF8MR12W2M1B11BOMA1.pdf

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FF8MR12W2M1B11BOMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Numéro de pièce future	FT-FF8MR12W2M1B11BOMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolSiC™
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	150A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 60mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	372nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 800V
Puissance - Max	20mW (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package d'appareils du fournisseur	AG-EASY2BM-2
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FF8MR12W2M1B11BOMA1-FT

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