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Référence fabricant | APTM20DHM16T3G |
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Numéro de pièce future | FT-APTM20DHM16T3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 7® |
APTM20DHM16T3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 104A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 52A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7220pF @ 25V |
Puissance - Max | 390W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP3 |
Package d'appareils du fournisseur | SP3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM20DHM16T3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTM20DHM16T3G-FT |
EFC6605R-V-TR
ON Semiconductor
19MT050XF
Vishay Semiconductor Diodes Division
2N7002BKS/ZLX
Nexperia USA Inc.
2N7002PS/ZLH
Nexperia USA Inc.
2N7002PS/ZLX
Nexperia USA Inc.
2N7334
Microsemi Corporation
2N7335
Microsemi Corporation
ALD111910MAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD111910PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD111910SAL
Advanced Linear Devices Inc.
XC6SLX75-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-5FGG676C
Xilinx Inc.
XC7S25-2FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4SGX290FH29I3
Intel
5SGXEABN2F45I3N
Intel
XC7VX550T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
AT6005-2JI
Microchip Technology