maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / 2N7334
Référence fabricant | 2N7334 |
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Numéro de pièce future | FT-2N7334 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N7334 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 4 N-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | MO-036AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7334 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N7334-FT |
DMT6018LDR-13
Diodes Incorporated
DMT6018LDR-7
Diodes Incorporated
FMM150-0075X2F
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FMM75-01F
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IXYS
AOC3862
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
XCS30XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CGX110CF23I7N
Intel
5SGXEA5N2F40C1N
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5SGXMA7K3F40C2N
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5AGXMA1D4F27C5N
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XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5F23C7N
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10AX066N4F40I3LG
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