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Diodes Incorporated DMT6018LDR-13

Numéro de pièce MFG
DMT6018LDR-13
quantité disponible
58310 Pièces
Prix de référence
USD 0.199384
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMT6018LDR-13.pdf
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DMT6018LDR-13 Caractéristiques

Référence fabricant DMT6018LDR-13
Numéro de pièce future FT-DMT6018LDR-13
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMT6018LDR-13 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 869pF @ 30V
Puissance - Max 1.9W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur V-DFN3030-8
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT6018LDR-13 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMT6018LDR-13-FT

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