maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AOC3862
Référence fabricant | AOC3862 |
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Numéro de pièce future | FT-AOC3862 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AlphaMOS |
AOC3862 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 2.5W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-XDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DFN (3.55x1.77) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOC3862 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOC3862-FT |
APTC80H15T1G
Microsemi Corporation
APTC80H15T3G
Microsemi Corporation
APTC80H29T3G
Microsemi Corporation
APTM100A13DG
Microsemi Corporation
APTM100A23STG
Microsemi Corporation
APTM100DSK35T3G
Microsemi Corporation
APTM100H35FT3G
Microsemi Corporation
APTM100H35FTG
Microsemi Corporation
APTM100H45FT3G
Microsemi Corporation
APTM100H46FT3G
Microsemi Corporation
XC7S100-1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
Microsemi Corporation