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APTM100H35FT3G Image

Microsemi Corporation APTM100H35FT3G

Numéro de pièce MFG
APTM100H35FT3G
quantité disponible
57920 Pièces
Prix de référence
USD 80.06112
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTM100H35FT3G.pdf
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APTM100H35FT3G Caractéristiques

Référence fabricant APTM100H35FT3G
Numéro de pièce future FT-APTM100H35FT3G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTM100H35FT3G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Puissance - Max 390W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP3
Package d'appareils du fournisseur SP3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100H35FT3G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTM100H35FT3G-FT

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