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Référence fabricant | PSMN8R0-30YLC,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN8R0-30YLC,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN8R0-30YLC,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 54A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 848pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 42W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN8R0-30YLC,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN8R0-30YLC,115-FT |
PH16030L,115
NXP USA Inc.
PH1730AL,115
Nexperia USA Inc.
PH1825AL,115
NXP USA Inc.
PH1875L,115
NXP USA Inc.
PH1930AL,115
Nexperia USA Inc.
PH1955L,115
NXP USA Inc.
PH20100S,115
Nexperia USA Inc.
PH2030AL,115
NXP USA Inc.
PH2230DLSX
Nexperia USA Inc.
PH2520U,115
Nexperia USA Inc.
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation