maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PH2520U,115
Référence fabricant | PH2520U,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PH2520U,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PH2520U,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 25A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5850pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 62.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PH2520U,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PH2520U,115-FT |
BUK9Y65-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y8R7-60E,115
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PSMN013-30YLC,115
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PSMN026-80YS,115
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PSMN1R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R6-30YLC,115
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PSMN3R0-30YLDX
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PSMN4R0-60YS,115
Nexperia USA Inc.
XC3S500E-4PQ208I
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LCMXO2-7000HC-4BG332C
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Lattice Semiconductor Corporation
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