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Référence fabricant | PH1930AL,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PH1930AL,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PH1930AL,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 12V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PH1930AL,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PH1930AL,115-FT |
BUK9Y113-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y12-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y14-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y15-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y3R5-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y65-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y8R7-60E,115
Nexperia USA Inc.
PSMN013-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN016-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN026-80YS,115
Nexperia USA Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel