maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK9Y15-100E,115
Référence fabricant | BUK9Y15-100E,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK9Y15-100E,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y15-100E,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 69A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45.8nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6139pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 195W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y15-100E,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK9Y15-100E,115-FT |
2N7002BKMB,315
Nexperia USA Inc.
PMZB290UNE,315
Nexperia USA Inc.
PMZB320UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZB350UPE,315
Nexperia USA Inc.
PMZB550UNEYL
Nexperia USA Inc.
BSS84AKMB,315
Nexperia USA Inc.
NX3008NBKMB,315
Nexperia USA Inc.
NX3008PBKMB,315
Nexperia USA Inc.
NX7002BKMBYL
Nexperia USA Inc.
PMZB1200UPEYL
Nexperia USA Inc.
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel