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Référence fabricant | NX3008NBKMB,315 |
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Numéro de pièce future | FT-NX3008NBKMB,315 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NX3008NBKMB,315 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 530mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1006B-3 |
Paquet / caisse | 3-XFDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NX3008NBKMB,315 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NX3008NBKMB,315-FT |
PSMN085-150K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN165-200K,518
Nexperia USA Inc.
SI4410DY,518
NXP USA Inc.
SI4420DY,518
NXP USA Inc.
SI4800,518
NXP USA Inc.
SI9410DY,518
NXP USA Inc.
PHU101NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU108NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU11NQ10T,127
NXP USA Inc.
PHU66NQ03LT,127
NXP USA Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
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MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation