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Référence fabricant | SI4410DY,518 |
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Numéro de pièce future | FT-SI4410DY,518 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
SI4410DY,518 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4410DY,518 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4410DY,518-FT |
BUK7225-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK7230-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK6211-75C,118
Nexperia USA Inc.
BUK7212-55B,118
Nexperia USA Inc.
BUK72150-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK6207-30C,118
NXP USA Inc.
BUK6207-55C,118
Nexperia USA Inc.
BUK6208-40C,118
NXP USA Inc.
BUK6212-40C,118
Nexperia USA Inc.
BUK6213-30A,118
Nexperia USA Inc.
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel