maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK6208-40C,118
Référence fabricant | BUK6208-40C,118 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK6208-40C,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
BUK6208-40C,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3720pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 128W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK6208-40C,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK6208-40C,118-FT |
BUK7E2R6-60E,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-60ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-100ESQ
Nexperia USA Inc.
BUK7E3R5-60E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E1R8-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E8R3-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E1R9-40E,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-60ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R1-30EL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN017-30EL,127
Nexperia USA Inc.
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel