maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK7E2R6-60E,127
Référence fabricant | BUK7E2R6-60E,127 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK7E2R6-60E,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK7E2R6-60E,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 158nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11180pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 349W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7E2R6-60E,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK7E2R6-60E,127-FT |
EC4401C-TL
ON Semiconductor
3LN01SS-TL-E
ON Semiconductor
3LP01SS-TL-E
ON Semiconductor
3LP01SS-TL-EX
ON Semiconductor
5HN01SS-TL-E
ON Semiconductor
5HN01SS-TL-H
ON Semiconductor
BST72A,112
NXP USA Inc.
PHW80NQ10T,127
NXP USA Inc.
PSMN004-55W,127
NXP USA Inc.
PSMN009-100W,127
NXP USA Inc.
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel