maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PSMN6R3-120PS
Référence fabricant | PSMN6R3-120PS |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PSMN6R3-120PS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN6R3-120PS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 120V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 70A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 207.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11384pF @ 60V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 405W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN6R3-120PS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN6R3-120PS-FT |
PH1225AL,115
Nexperia USA Inc.
PH1330AL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN0R9-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R6-40YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R8-25MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN011-60MLX
Nexperia USA Inc.
PSMN011-60MSX
Nexperia USA Inc.
BUK9M14-40EX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN075-100MSEX
Nexperia USA Inc.
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel