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Référence fabricant | PSMN1R6-40YLC,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN1R6-40YLC,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN1R6-40YLC,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 126nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7790pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 288W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SOT-1023, 4-LFPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN1R6-40YLC,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN1R6-40YLC,115-FT |
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